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GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法

作者：百檢網(wǎng) 時間：2022-10-18

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗步驟、數(shù)據(jù)計算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。
英文名稱：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
中標(biāo)分類：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H26金屬無損檢驗方法
ICS分類：電氣工程>>絕緣流體>>29.040.01絕緣流體綜合
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期：2004-02-05
實施日期：2004-07-01
出版日期：2004-07-01
頁數(shù)：16開，頁數(shù)：5，字?jǐn)?shù)：9千遼

前言

金屬無損檢驗方法相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

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