標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路小外形封裝(SOP)引線框架(以下簡(jiǎn)稱引線框架)的技術(shù)要求及檢驗(yàn)規(guī)則。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路小外形封裝沖制型引線框架。
英文名稱：Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for small outline package
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 15878-1995
中標(biāo)分類：電子元器件與信息技術(shù)>>微電路>>L56半導(dǎo)體集成電路
ICS分類：電子學(xué)>>31.200集成電路、微電子學(xué)
發(fā)布部門：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2015-05-15
實(shí)施日期：2016-01-01
出版日期：2016-01-01
頁(yè)數(shù)：16頁(yè)

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)代替 GB/T15878—1995《小外形封裝引線框架規(guī)范》。本標(biāo)準(zhǔn)與 GB/T15878—1995相比主要變化如下:———按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍,將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為“半導(dǎo)體集成電路 小外形封裝引線框架規(guī)范”;———關(guān)于規(guī)范性引用文件:增加引導(dǎo)語(yǔ);抽樣標(biāo)準(zhǔn)由 GB/T2828.1—2012代替 SJ/Z9007—87;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;———標(biāo)準(zhǔn)中的4.1由“設(shè)計(jì)”改為“引線框架尺寸”,將原標(biāo)準(zhǔn)中精壓深度和金屬間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到4.2,并將原標(biāo)準(zhǔn)中“精壓區(qū)”的有關(guān)內(nèi)容并入到“精壓深度”條款中;———對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的“4.2 引線框架形狀和位置公差”中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整,并增加了芯片粘接區(qū)下陷和引線框架內(nèi)部位置公差的有關(guān)要求;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“側(cè)彎”的要求(見(jiàn)4.2.1):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了在150mm 的長(zhǎng)度方向上,不超過(guò)0.5mm,本標(biāo)準(zhǔn)在整個(gè)標(biāo)稱長(zhǎng)度上進(jìn)行規(guī)定;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“卷曲”的要求(見(jiàn)4.2.2):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于0.5mm,本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“條帶扭曲”的要求(見(jiàn) 4.2.4):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了每條框架上扭曲不超過(guò)0.51mm,本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“引線扭曲”的要求(見(jiàn)4.2.5):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上的*大偏移量,本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上*大偏移量的規(guī)定;———原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對(duì)精壓寬度的影響,簡(jiǎn)單地規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍。本標(biāo)準(zhǔn)修改為:在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm~0.06mm(見(jiàn)4.2.6);———將“金屬間隙”修改為“絕緣間隙”,并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“絕緣間隙”的要求(見(jiàn)4.2.7):原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定“引線框架各內(nèi)引線之間,內(nèi)引線與芯片粘接區(qū)之間的距離不小于0.152mm”,本標(biāo)準(zhǔn)修改為“相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.076mm”;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“芯片粘接區(qū)斜度”的要求(見(jiàn)4.2.9):原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條件下的*大斜度,本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長(zhǎng)或?qū)捗?.54mm 尺寸*大傾斜0.05mm;———將原標(biāo)準(zhǔn)中的“芯片粘接區(qū)平面度”與“芯片粘接區(qū)平整度”統(tǒng)一規(guī)定為“芯片粘接區(qū)平面度”(見(jiàn)4.2.11);———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“毛刺”的要求(見(jiàn)4.3.1):取消了原標(biāo)準(zhǔn)中連筋內(nèi)外不同區(qū)域垂直毛刺的不同要求,本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為0.025mm;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見(jiàn)4.3.2):在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)要求;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“局部鍍銀層厚度”的要求(見(jiàn)4.4.1):原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度,本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定;———增加了“銅剝離試驗(yàn)”的有關(guān)要求(見(jiàn)4.6);———增加了“銀剝離試驗(yàn)”的有關(guān)要求(見(jiàn)4.7);———對(duì)標(biāo)準(zhǔn)“5 檢驗(yàn)規(guī)則”中相應(yīng)條款進(jìn)行修改,參照 GB/T14112—2015檢驗(yàn)規(guī)則,并增加了鑒定批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)內(nèi)容;———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“貯存”的有關(guān)要求:原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為3個(gè)月,本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為6個(gè)月(見(jiàn)7.2);———增加了規(guī)范性附錄 A“引線框架機(jī)械測(cè)量”。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:廈門永紅科技有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:林桂賢、王鋒濤、申瑞琴。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:———GB/T15878—1995。