GB/T 13178-2008 金硅面壘型探測器
作者：百檢網(wǎng) 時(shí)間：2022-10-19
標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC 60333：1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測器 測試程序》。 本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 13178-1991《金硅面壘型探測器》。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測器（簡稱探測器）的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、測試方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測器（不包括位置靈敏探測器）。鋰漂移金硅面壘型探測器也 可參照執(zhí)行。 本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T 13178-1991的大部分內(nèi)容，對其的主要修改如下： ——增加前言； ——引用新的規(guī)范性文件； ——產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A型，刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C型； ——部分耗盡金硅面壘型探測器的分類僅保留*小耗盡層深度為300μm一類，而主要性能增加“允許*大噪聲”。英文名稱：Partially depleted gold silicon surface barrier detectors
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 13178-1991
中標(biāo)分類：能源、核技術(shù)>>核儀器與核探測器>>F88核探測器
ICS分類：能源和熱傳導(dǎo)工程>>27.120核能工程
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2008-07-02
實(shí)施日期：2009-04-01
出版日期：2008-11-01
頁數(shù)：12頁
前言
本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC60333:1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測器 測試程序》。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13178-1991《金硅面壘型探測器》(以下簡稱原標(biāo)準(zhǔn))。本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T13178-1991的大部分內(nèi)容,對其的主要修改如下:---增加前言;---引用新的規(guī)范性文件;---產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A 型,刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C 型;---部分耗盡金硅面壘型探測器的分類僅保留*小耗盡層深度為300μm 一類,而主要性能增加允許*大噪聲。本標(biāo)準(zhǔn)由中國核工業(yè)集團(tuán)公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中核(北京)核儀器廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李志勇。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:GB/T13178-1991。相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
《GB/T 17618-2015, CISPR 24:2010》信息技術(shù)設(shè)備 抗擾度限值和測量方法 GB/T 17618-2015, CISPR 24:2010 4.2.4
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《GB/T 17618-2015, CISPR 24:2010》信息技術(shù)設(shè)備 抗擾度限值和測量方法 GB/T 17618-2015, CISPR 24:2010 4.2.3
《GB/T 17540-2017》臺式激光打印機(jī)通用規(guī)范 GB/T 17540-2017 5.4
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