標準簡介

本標準規定了半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規則。 本標準適用于雙列(DIP)沖制型引線框架。單列沖制型引線框架亦可參照使用
英文名稱：Semiconductor integrated circuits—Specification for stamped leadframes of plastic DIP
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 14112-1993
中標分類：電子元器件與信息技術>>微電路>>L56半導體集成電路
ICS分類：電子學>>31.200集成電路、微電子學
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2015-05-15
實施日期：2016-01-01
出版日期：2016-01-01
頁數：28頁

前言

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準代替 GB/T14112—1993《半導體集成電路 塑封雙列封裝沖制型引線框架規范》。本標準與 GB/T14112—1993相比主要變化如下:———關于規范性引用文件:增加引導語;抽樣標準由 GB/T2828.1—2012代替IEC410;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;———增加術語和定義,并增加了標稱長度、精壓區共面性、芯片粘接區下陷的定義;———標準“4.2引線框架形狀和位置公差”中,增加了芯片粘接區平面度、引線框架內部位置公差的有關要求;———修改了標準中對“側彎”的要求(見4.2.1):原標準僅規定了側彎小于0.05mm/150mm,本標準在整個標稱長度上進行規定;———修改了標準中對“卷曲”的要求(見4.2.2):原標準中僅規定了卷曲變形小于0.5mm/150mm,本標準根據材料的厚度進行規定;———修改了標準中對“條帶扭曲”的要求(見4.2.4):原標準中僅規定了框架扭曲小于0.5mm,本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據材料的厚度進行規定;———修改了標準中對“引線扭曲”的要求(見4.2.5):原標準中規定了引線扭曲的角度及其內引線端點的*大扭曲值,本標準刪除了內引線端點*大扭曲值的規定;———修改了標準中對“精壓深度”的要求(見4.2.6):在原標準的基礎上,增加了*大精壓深度與*小引線間距的相關要求;———修改了標準中對“絕緣間隙”的要求(見4.2.7):原標準中規定的絕緣間隙為0.15mm,本標準修改為0.1mm;———修改了標準中 對 “精 壓 區 共 面 性”的 要 求 (見 4.2.8):原 標 準 中 規 定 了 引 線 框 架 條 寬 大 于50.8mm,精壓區共面性為±0.25mm,本標準修改為±0.2mm;———修改了標準中對“芯片粘接區斜度”的要求(見4.2.9):原標準中分別規定了受壓和不受壓情況下的斜度,本標準統一規定為在長或寬每2.54mm 尺寸*大傾斜0.05mm;———對標準的“4.3引線框架外觀”中相應條款進行了調整,原標準對引線框架外觀要求按“功能區、其他區域”分別表示;本標準按“毛刺,凹坑、壓痕和劃痕”分別描述,并對原標準中“劃痕”的要求適當加嚴,即在任何區域內“劃痕”均不得超過1個;———修改了標準中對“局部鍍銀”的要求(見4.4.1.2):原標準中規定鍍銀層厚度不小于3.5μm(平均值),本標準修改為不小于3μm;———修改了標準中對“鍍層外觀”的要求(見4.4.2):在原標準的基礎上,增加了對鍍層外觀的相關要求;———增加了“銅剝離試驗”的有關要求(見4.6);———增加了“銀剝離試驗”的有關要求(見4.7);———修改了標準中對“檢驗要求”的要求:修改了原標準中 A1a、A1b、A2分組的檢測水平及 AQL,并對 A1a、A1b,B2a、B2b分組進行合并;原標準中 B 組采用 LTPD 抽樣方案,本標準將 B1、B2、B3修改為 AQL抽樣方案,并增加 C3、C4檢驗的抽樣要求;———修改了標準中對“貯存”的有關要求:原標準鍍銀引線框架保存期為三個月,本標準規定為6個月(見7.2)。請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。本標準由全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)歸口。本標準起草單位:廈門永紅科技有限公司。本標準主要起草人:林桂賢、王鋒濤、洪玉云。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:———GB/T14112—1993。