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GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法

作者:百檢網 時間:2022-10-20

標準簡介

本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。 本標準適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。
英文名稱:Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
標準狀態:現行
替代情況:替代GB/T 14141-1993
中標分類:冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類:電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門:國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期:2009-10-30
實施日期:2010-06-01
出版日期:2010-06-01
頁數:12頁

前言

本標準代替GB/T14141-1993《硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法》。本標準與GB/T14141-1993相比,主要有如下改動:---修改了被測薄層電阻的*小直徑(由10.0 mm 改為15.9 mm)、薄層電阻阻值的測量范圍及精度;---增加了規范性引用文件;---增加了引入與試樣幾何形狀有關的修正因子計算薄層電阻;---增加了干擾因素;---刪除了三氯乙烯試劑;---修改了薄層電阻范圍,增加了直流輸入阻抗不小于109 Ω;---刪除了三氯乙烯漂洗;---修改仲裁測量探針間距,由1mm 改為1.59mm;---增加了修正因子和溫度修正系數表格。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:寧波立立電子股份有限公司、南京國盛電子有限公司、信息產業部專用材料質量監督檢驗中心。本標準主要起草人:李慎重、許峰、劉培東、諶攀、馬林寶、何秀坤。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB/T14141-1993。

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