GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
作者：百檢網 時間：2022-10-20
標準簡介
本標準規定了用化學腐蝕顯示，并用金相顯微鏡檢驗硅外延層晶體缺陷的方法。本標準適用于硅外延層中堆垛層錯和位錯密度測量。硅外延層厚度應大于2μm。測量范圍為0~10000cm-2。英文名稱：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques
標準狀態：作廢
替代情況：被GB/T 14142-2017代替
中標分類：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H26金屬無損檢驗方法
ICS分類：29.040.30
發布部門：國家技術監督局
發布日期：1993-02-06
實施日期：1993-10-01
作廢日期：2018-04-01
出版日期：1993-10-01
頁數：7頁
前言
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