GB/T 14144-2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
作者：百檢網(wǎng) 時間：2022-10-20
標準簡介
本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。英文名稱：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 14144-1993
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數(shù)：12頁
前言
本標準修改采用SEMIMF1188??1105《用紅外吸收法測量硅中間隙氧原子含量的標準方法》。本標準與SEMIMF1188??1105相比,主要有如下不同:---增加了測量點選取方案;---標準編寫按GB/T1.1格式,部分SEMI標準中的章節(jié)進行了合并和整理。本標準代替GB/T14144-1993《硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》。本標準與原標準相比,主要有如下變化:---氧含量測量范圍進行了修訂;---增加了測量儀器、術(shù)語和干擾因素章節(jié);---增加了采用經(jīng)認證的硅中氧含量標準物質(zhì)對光譜儀進行校準的內(nèi)容;---將原標準中本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶體改為本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶;---樣品厚度范圍修改為0.04cm~0.4cm。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:楊旭、江莉。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T14144-1993。相關標準
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