標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本部分適用于在低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備與控制器(如可編程控器、個(gè)人計(jì)算機(jī)等)之間的接口。 本部分不適用于由IEC/SC65C研究的稱為現(xiàn)場(chǎng)總線的更高層工業(yè)通信網(wǎng)絡(luò)。
英文名稱：Low-voltage switchgear and controlgear - Controller-Device interfaces (CDIs) - Part 1: General rules
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 18858.1-2002
中標(biāo)分類：電工>>低壓電器>>K30低壓電器綜合
ICS分類：>>29.130.01開關(guān)裝置和控制器綜合
發(fā)布部門：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2012-11-05
實(shí)施日期：2013-02-01
出版日期：2013-02-01
頁(yè)數(shù)：12頁(yè)

前言

GB/T18858《低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 控制器-設(shè)備接口》分為3個(gè)部分:———第1部分:總則;———第2部分:執(zhí)行器傳感器接口(AS-i);———第3部分:DeviceNet。本部分為GB/T18858的第1部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分代替GB/T18858.1—2002《低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 控制器-設(shè)備接口(CDI) 第1部分:總則》,與GB/T18858.1—2002相比,主要變化如下:———第2章“規(guī)范性引用文件”中更新部分標(biāo)準(zhǔn)的引用版本;———更新表1“抗擾度要求”中部分試驗(yàn)型式及試驗(yàn)水平,采用現(xiàn)行版標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的要求,包括:a) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)中增加1.4GHz~2GHz頻段試驗(yàn)范圍;b) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)中明確對(duì)于包含CDI通信介質(zhì)的全部電纜,其試驗(yàn)水平為電壓峰值1kV/重復(fù)頻率5kHz;對(duì)于所有其他電纜和端口,其試驗(yàn)水平為電壓峰值2kV/重復(fù)頻率5kHz。本部分等同采用IEC62026-1:2007《低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 控制器-設(shè)備接口 第1部分:總則》。本部分與IEC62026-1:2007相比,主要做了下列編輯性修改:———?jiǎng)h除了IEC62026-1:2007前言;———“本標(biāo)準(zhǔn)”一詞改為“本部分”。與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下:———GB14048.1—2006 低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第1部分:總則(IEC60947-1:2007,MOD)。本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本部分由全國(guó)低壓電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC189)歸口。本部分負(fù)責(zé)起草單位:上海電器科學(xué)研究院、上海電科電器科技有限公司。本部分參加起草單位:法泰電器(江蘇)股份有限公司、常熟開關(guān)制造有限公司、上海電器股份有限公司人民電器廠、上海人民企業(yè)集團(tuán)溫州電器有限公司、上海電器設(shè)備檢測(cè)所、中國(guó)質(zhì)量認(rèn)證中心、浙江天正電氣股份有限公司。本部分主要起草人:黃兢業(yè)、季慧玉。本部分參加起草人:丁高峰、邵建國(guó)、馮俊、金靈滿、阮慶州、張穎、賈穎巍、李芃。本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:———GB/T18858.1—2002。