GB/T 10117-2009 高純銻
作者：百檢網 時間：2022-10-20
標準簡介
本標準規定了高純銻的要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貯存和訂貨單(或合同)內容等。本標準適用于以工業銻為原料,經氯化、精餾、氫氣還原、蒸餾等而制得的純度不小于99.999%的以及不小于99.9999%的高純銻。產品用于制備Ⅲ?Ⅴ族半導體材料、高純合金、熱電致冷元件以及用作硅、鍺單晶的摻雜劑等。英文名稱：High purity antimonium
標準狀態：作廢
替代情況：被GB/T 10117-2021代替;替代GB/T 10117-1988
中標分類：冶金>>有色金屬及其合金產品>>H62重金屬及其合金
ICS分類：冶金>>有色金屬產品>>77.150.99其他有色金屬產品
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
作廢日期：2022-07-01
出版日期：2010-06-01
頁數：8頁
前言
本標準代替GB/T10117-1988《高純銻》。本標準與GB/T10117-1988相比,主要有如下變動:---增加了規范性引用文件;---化學成分增加雜質總量含量一欄,并對雜質的含量做了一些調整,主要是金、鎘、鉛的技術參數;---在檢驗規則中增加每批產品的重量一般應不大于100kg;---在產品交付中增加外用塑料薄膜密封;---將原標準中產品的化學成分的分析方法按供方現行方法進行;仲裁分析按供需雙方認可的方法進行改為產品的化學成分分析按YS/T35.1~35.4高純銻化學分析方法進行;---對原標準中在收到產品之日起三個月內向供方提出中三個月的時間做了修改;---將原標準中化學成分檢驗不合格時,應取雙倍數量的試樣進行復驗。如其中有一個試樣結果仍不符合本標準的要求,則判定該批產品為不合格品。改為化學成分檢驗不合格時,則判定該批產品為不合格品。。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準負責起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:王炎、蔣蓉。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB/T10117-1988。相關標準
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