GB/T 14847-1993 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
作者：百檢網 時間：2022-10-21
標準簡介
本標準規定了重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。本標準適用于襯底室溫電阻率小于0.02Ω·cm和外延層室溫電阻率大于0.1Ω·cm且外延層厚度大于2μm的硅外延層厚度的測量。英文名稱：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
標準狀態：作廢
替代情況：被GB/T 14847-2010代替
中標分類：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
ICS分類：29.040.30
發布部門：國家技術監督局
發布日期：1993-01-02
實施日期：1994-09-01
作廢日期：2011-10-01
頁數：平裝16開， 頁數：8， 字數：12千字
前言
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