標準簡介

本標準規定重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。 本標準適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm 和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm 且外延層厚度大于2μm 的n型和p型硅外延層厚度的測量;在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測試0.5μm~2μm 之間的n型和p型外延層厚度。
英文名稱：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 14847-1993
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2011-01-10
實施日期：2011-10-01
出版日期：2011-10-01
頁數：12頁

前言

本標準代替GB/T14847—1993《重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》。本標準與GB/T14847—1993相比,主要技術內容變化如下:———修改原標準“1主題內容與適用范圍”中襯底和外延層室溫電阻率明確為在23℃下電阻率,增加在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測試0.5μm~2μm 之間的N 型和P型外延層厚度;———修改原標準“2引用標準”為“規范性引用文件”,增加有關的引用標準;———增加“3術語和定義”部分;———補充和完善“4測試方法原理內容”;———增加“5干擾因素部分”;———原標準5改為7,刪除“5.1襯底和外延層導電類型及襯底電阻率應是已知的”內容,增加防止試樣表面大面積晶格不完整以及要求測試前表面進行清潔處理的內容;———原標準6改為8,對選取試樣的外延厚度的要求改為對襯底電阻率和譜圖波數位置的要求,并增加8.3.5采用GB/T1552中規定的方法在對應的反面位置測試襯底電阻率;———原標準7改為9,增加*值波數和波長的轉換公式。刪除原7.2經驗計算法內容;———原標準8改為10,增加多個實驗室更廣范圍的測試數據分析結果;———原標準9改為11,試驗報告中要求增加紅外儀器的波數范圍、掩模孔徑、波數掃描速度、波長和*值級數等內容。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。本標準起草單位:寧波立立電子股份有限公司、信息產業部專用材料質量監督檢驗中心。本標準主要起草人:李慎重、何良恩、許峰、劉培東、何秀坤。本部分所代替的歷次版本標準發布情況為:———GB/T14847—1993。