GB/T 11073-2007 硅片徑向電阻率變化的測量方法
作者：百檢網 時間：2022-10-21
標準簡介
本標準規定了用直排四探針法測量硅片徑向電阻率變化的方法。英文名稱：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 11073-1989
中標分類：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.01金屬材料試驗綜合
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2007-12-18
實施日期：2008-02-01
出版日期：2008-02-01
頁數：16頁
前言
本標準是對GB/T11073-1989《硅片徑向電阻率變化的測量方法》的修訂。本標準修改采用了ASTM F81??01《硅片徑向電阻率變化的測量方法》。本標準與ASTM F81??01的一致性程度為修改采用,主要差異如下:---刪去了ASTM F81??01第4章意義和用途。本標準與GB/T11073-1989相比主要變化如下:---因GB/T 6615 已并入GB/T 1552,本標準在修訂時將硅片電阻率測試方法標準改為GB/T1552,并將第2章規范性引用文件中的GB/T6615改為GB/T1552;---采用ASTM F81??01第8章計算中的計算方法替代原GB11073-1989中徑向電阻率變化的計算方法;---依據GB/T1552將電阻率的測量上限由1×103 Ω·cm 改為3×103 Ω·cm;---將原GB/T11073-1989中第7章測量誤差改為第4章干擾因素,并對其后各章章號作了相應調整;---刪去了原GB/T11073-1989中的表1,采用GB/T12965規定的直徑偏差范圍;---將原GB/T11073-1989中的表2改為表1,并依據GB/T12965中的規定,在本標準中刪去80.0mm 標稱直徑規格,增加了150.0mm 和200.0mm 標稱直徑規格。本標準的附錄A 是規范性附錄。本標準自實施之日起,同時代替GB/T11073-1989。本標準由中國有色金屬工業協會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:梁洪、覃銳兵、王炎。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB/T11073-1989。相關標準
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