標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針法測(cè)量硅片徑向電阻率變化的方法。
英文名稱：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 11073-1989
中標(biāo)分類：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
ICS分類：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.01金屬材料試驗(yàn)綜合
發(fā)布部門：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2007-12-18
實(shí)施日期：2008-02-01
出版日期：2008-02-01
頁數(shù)：16頁

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T11073-1989《硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了ASTM F81??01《硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與ASTM F81??01的一致性程度為修改采用,主要差異如下:---刪去了ASTM F81??01第4章意義和用途。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T11073-1989相比主要變化如下:---因GB/T 6615 已并入GB/T 1552,本標(biāo)準(zhǔn)在修訂時(shí)將硅片電阻率測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)改為GB/T1552,并將第2章規(guī)范性引用文件中的GB/T6615改為GB/T1552;---采用ASTM F81??01第8章計(jì)算中的計(jì)算方法替代原GB11073-1989中徑向電阻率變化的計(jì)算方法;---依據(jù)GB/T1552將電阻率的測(cè)量上限由1×103 Ω·cm 改為3×103 Ω·cm;---將原GB/T11073-1989中第7章測(cè)量誤差改為第4章干擾因素,并對(duì)其后各章章號(hào)作了相應(yīng)調(diào)整;---刪去了原GB/T11073-1989中的表1,采用GB/T12965規(guī)定的直徑偏差范圍;---將原GB/T11073-1989中的表2改為表1,并依據(jù)GB/T12965中的規(guī)定,在本標(biāo)準(zhǔn)中刪去80.0mm 標(biāo)稱直徑規(guī)格,增加了150.0mm 和200.0mm 標(biāo)稱直徑規(guī)格。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 是規(guī)范性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,同時(shí)代替GB/T11073-1989。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:梁洪、覃銳兵、王炎。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T11073-1989。