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GB 11297.6-1989 銻化銦單晶位錯蝕坑的腐蝕顯示及測量方法

作者：百檢網(wǎng) 時間：2022-10-21

標(biāo)準(zhǔn)簡介

在晶體中，由于缺陷處的勢能較高，在缺陷處的腐蝕速率較大，在適當(dāng)?shù)母g劑中，當(dāng)缺陷處的腐蝕速率遠(yuǎn)高于完整晶面的腐蝕速率時，在缺陷處就會形成位錯蝕坑和其他斑痕，在金相顯微鏡下可以觀測多種缺陷。
英文名稱：Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
中標(biāo)分類：電子元器件與信息技術(shù)>>電子設(shè)備專用材料、零件、結(jié)構(gòu)件>>L90電子技術(shù)專用材料
ICS分類：29.040.30
發(fā)布部門：機(jī)械電子工業(yè)部
發(fā)布日期：1988-10-09
實施日期：1990-01-01
頁數(shù)：3頁

前言

電子技術(shù)專用材料相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

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