GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
作者：百檢網 時間：2022-10-21
標準簡介
本標準規定了用直排四探針測量硅、鍺單晶電阻率的方法。本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的*近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。英文名稱：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
標準狀態：作廢
替代情況：替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替
中標分類：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
ICS分類：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.30金屬材料化學分析
發布部門：國家技術監督局
發布日期：1995-04-18
實施日期：1995-01-02
作廢日期：2010-06-01
頁數：平裝16開， 頁數：17， 字數：29千字
前言
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