標準簡介

本標準規定了電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法。 本標準適用于電子級水中二氧化硅的測定，其中檢出限為1μg/L。
英文名稱：Test method for SiO2 in electronic grade water by spectrophotometer
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 11446.6-1997
中標分類：電子元器件與信息技術>>電子設備專用材料、零件、結構件>>L90電子技術專用材料
ICS分類：31-030
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2013-12-31
實施日期：2014-08-15
出版日期：2014-08-15
頁數：8頁

前言

GB/T11446預計結構如下:———GB/T11446.1 電子級水;———GB/T11446.2 (待定);———GB/T11446.3 電子級水測試方法通則;———GB/T11446.4 電子級水電阻率的測試方法;———GB/T11446.5 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法;———GB/T11446.6 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法;———GB/T11446.7 電子級水中痕量陰離子的離子色譜測試方法;———GB/T11446.8 電子級水中總有機碳的測試方法;———GB/T11446.9 電子級水中微粒的儀器測試方法;———GB/T11446.10 電子級水中細菌總數的濾膜培養測試方法。本部分為GB/T11446的第6部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。本部分代替GB/T11446.6—1997《電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法》。本部分與GB/T11446.6—1997相比,主要有下列變化:———將“9干擾因素”修改為“5干擾因素”(見第5章);———“工作曲線的繪制”中,根據待測水樣中二氧化硅含量,明確將工作曲線分為兩組(見9.1.1和9.1.2);———增加了“對水樣獨立進行兩次測定,取其平均值”(見9.3.3)。本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出。本部分由中國電子技術標準化研究所歸口。本部分起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國科學院半導體研究所、中國電子技術標準化研究院、中國電子科技集團公司第四十六研究所。本部分主要起草人:王奕、褚連青、何秀坤、段曙光、提劉旺、劉筠。本部分所代替標準的歷次版本發布情況為:———GB/T11446.6—1989、GB/T11446.6—1997。