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GB/T 24574-2009 硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法

作者：百檢網 時間：2022-10-21

標準簡介

本標準規定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法。 本標準適用于低位錯單晶硅中導電性雜質硼和磷含量的同時測定。 本標準用于檢測單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質元素。
英文名稱：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標準狀態：現行
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：16頁

前言

本標準修改采用SEMIMF1389-0704《Ⅲ-Ⅴ號混雜物中對單晶體硅的光致發光分析的測試方法》。本標準對SEMIMF1389-0704格式進行了相應調整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標準章條和SEMIMF1389-0704章條對照一覽表。并對SEMIMF1389??0704條款的修改處用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。本標準與SEMIMF1389-0704相比,主要技術差異如下:---刪除了目的、術語和定義中的討論部分、偏差和關鍵詞等章節的內容;---刪除了SEMIMF1389??0704中對砷鋁含量測定的內容;---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結果代替原標準SEMIMF1389-0704中的精度和偏差部分,并將原標準中的精度和偏差部分作為資料性附錄A 。本標準的附錄A 和附錄B為資料性附錄。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。本標準主要起草人:李靜、何秀坤、藺嫻。

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