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GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測試方法

作者:百檢網(wǎng) 時間:2022-10-21

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。 本標(biāo)準(zhǔn)所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
英文名稱:Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
替代情況:被GB/T 24581-2022代替
中標(biāo)分類:冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類:電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門:國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期:2009-10-30
實施日期:2010-06-01
作廢日期:2022-10-01 ?即將作廢 距離作廢日期還有16天
出版日期:2010-06-01
頁數(shù):12頁

前言

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用SEMIMF1630?0704《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的測試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF1630?0704相比,主要有如下變化:---用實際測量到的紅外譜圖代替SEMIMF1630?0704標(biāo)準(zhǔn)中的圖2、圖3。---用實驗得到的單一實驗室測試精密度代替SEMIMF1630?0704中給出的單一實驗室測試精密度。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:梁洪、過惠芬、吳道榮。

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

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