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GB/T 24582-2009 酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

作者：百檢網(wǎng) 時間：2022-10-21

標準簡介

本標準規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測多晶硅表面上的金屬雜質(zhì)痕量分析方法。本標準適用于堿金屬、堿土金屬和**系列過渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅以及其他元素如鋁的檢測。本標準適用于各種棒、塊、粒、片狀多晶表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規(guī)則,面積很難準確測定,故根據(jù)樣品重量計算結(jié)果,使用的樣品重量為50g~300g,檢測限為0.01ng/mL。
英文名稱：Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數(shù)：8頁

前言

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)提出并歸口。本標準負責起草單位:新光硅業(yè)科技責任有限公司。本標準主要起草人:王波、過惠芬、吳道榮、梁洪、敖細平。

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