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GB/T 31225-2014 橢圓偏振儀測量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法

作者：百檢網時間：2022-10-21

標準簡介

本標準給出了使用連續變波長、變角度的光譜型橢圓偏振儀測量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法。本標準適用于測試硅基底上厚度均勻、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄層厚度,其他對測試波長處不透光的基底上單層介電薄膜樣品厚度測量可以參考此方法。
英文名稱：Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
標準狀態：現行
中標分類：機械>>機械綜合>>J04基礎標準與通用方法
ICS分類：計量學和測量、物理現象>>長度和角度測量>>17.040.01長度和角度測量綜合
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2014-09-30
實施日期：2015-04-15
出版日期：2015-04-15
頁數：12頁

前言

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準由中國科學院提出。本標準由全國納米技術標準化技術委員會(SAC/TC279)歸口。本標準起草單位:上海交通大學、納米技術及應用國家工程研究中心。本標準主要起草人:金承鈺、李威、梁齊、路慶華、何丹農、張冰

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