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GB/T 31351-2014 碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

作者:百檢網(wǎng) 時間:2022-10-22

標準簡介

本標準規(guī)定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無損檢測方法。 本標準適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測量。
英文名稱:Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
標準狀態(tài):現(xiàn)行
中標分類:冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H26金屬無損檢驗方法
ICS分類:冶金>>金屬材料試驗>>77.040.99金屬材料的其他試驗方法
發(fā)布部門:國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期:2014-12-31
實施日期:2015-09-01
出版日期:2015-09-01
頁數(shù):8頁

前言

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任。本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)和全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位:北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所。本標準主要起草人:陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉振洲。

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