GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法
作者：百檢網 時間：2022-10-22
標準簡介
本標準規定了一種準確測量硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的方法,即X 射線光電子能譜法(XPS)。本標準適用于熱氧化法在硅晶片表面制備的超薄氧化硅層厚度的準確測量;通常,本標準適用的氧化硅層厚度不大于6nm。英文名稱：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
標準狀態：現行
中標分類：化工>>化工綜合>>G04基礎標準與通用方法
ICS分類：化工技術>>分析化學>>71.040.40化學分析
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2010-09-26
實施日期：2011-08-01
出版日期：2011-08-01
頁數：12頁
前言
本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口。本標準起草單位:中國科學院化學研究所、中國計量科學研究院。本標準起草人:劉芬、王海、趙良仲、宋小平、趙志娟、邱麗美。相關標準
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