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GB/T 40109-2021 表面化學分析 二次離子質譜 硅中硼深度剖析方法

作者:百檢網 時間:2022-10-22

標準簡介

本文件描述了用扇形磁場或四*桿式二次離子質譜儀對硅中硼進行深度剖析的方法,以及用觸針式表面輪廓儀或光學干涉儀深度定標的方法。 本文件適用于硼原子濃度范圍1×1016 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的單晶硅、多晶硅或非晶硅樣品,濺射弧坑深度在50 nm及以上。
英文名稱:Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
標準狀態:現行
中標分類:化工>>化工綜合>>G04基礎標準與通用方法
ICS分類:化工技術>>分析化學>>71.040.40化學分析
發布部門:國家市場監督管理總局.
發布日期:2021-05-21
實施日期:2021-12-01
出版日期:2021-05-01
頁數:16頁

前言

基礎標準與通用方法相關標準

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