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GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

作者：百檢網時間：2022-10-22

標準簡介

本標準規定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。本標準適用于硅拋光片表面區在模擬器件氧化工藝中誘生或增強的晶體缺陷的檢測。硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗也可參照此方法。
英文名稱：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 4058-1995
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：20頁

前言

本標準代替GB/T4058-1995《硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》。本標準與GB/T4058-1995相比,主要有如下變化:---范圍中增加了硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗;---增加了引用標準;---增加了術語和定義章;---將原標準中表1 四種常用化學拋光液配方刪除,在第5章中對化學拋光液配比進行了修改,刪除了乙酸配方;增加了鉻酸溶液A 的配制、Sirtl腐蝕液及Wright腐蝕液的配制;增加了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應用及適用性的分類對比表;---采用氧化程序替代原標準中的氧化的操作步驟;增加了(111)面缺陷的顯示方法及Wright腐蝕液的腐蝕時間,將(111)面和(100)面缺陷顯示方法區分開了;(100)面缺陷的顯示增加了Wright腐蝕液腐蝕方法;---在缺陷觀測的測點選取中增加了米字型測量方法。本標準的附錄A 為資料性附錄。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB4058-1983、GB/T4058-1995;---GB6622-1986、GB6623-1986。

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