標準簡介

本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。 本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。
英文名稱：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 6616-1995
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：12頁

前言

本標準修改采用了SEMIMF673??1105《用非接觸渦流法測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法》。本標準與SEMIMF673??1105相比主要變化如下:---本標準范圍中只包括硅半導體材料,去掉了范圍中對于其他半導體晶片的適用對象;---本標準未采用SEMIMF673??1105中局部范圍測量的方法Ⅱ;---未采用SEMI標準中關鍵詞章節以適合GB/T1.1的要求。本標準代替GB/T6616-1995《半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法》。本標準與GB/T6616-1995相比,主要有如下變化:---調整了本標準測量直徑或邊長范圍為大于25mm;---增加了引用標準;---修改了第3章中的公式---修改了第4章中參考片電阻率的值與表1指定值之偏差為小于±25%;---增加了干擾因素;---修改了第6章中測試環境溫度為23℃±1°C;---規定了測試環境清潔度不低于10000級;儀器預熱時間為20min;---第7章中采用了SEMIMF673??1105標準中相關的精度和偏差。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準負責起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司。本標準主要起草人:樓春蘭、朱興萍、方強、汪新平、戴文仙。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB/T6616-1995。