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GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

作者：百檢網 時間：2022-10-23

標準簡介

本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
英文名稱：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 6617-1995
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：12頁

前言

本標準代替GB/T6617-1995《硅片電阻率測定 擴展電阻探針法》。本標準與GB/T6617-1995相比,主要有如下變化:---引用標準中刪去硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法;---方法原理中刪去單探針和三探針的原理圖并增加了擴展電阻原理公式(1)及其三個假定條件;---增加了干擾因素;---測量儀器和環境增加了自動測量儀器的范圍和精度;---對原測量程序進行全面修改;---刪去測量結果計算。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司。本標準主要起草人:馬林寶、駱紅、劉培東、譚衛東、呂立平等。本標準代替標準的歷次版本發布情況為:---GB6617-1986、GB/T6617-1995。

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