作者:百檢網 時間:2022-10-23
標準簡介
本標準規定了微結構加工時,光刻版圖設計中圖形設計應遵循的基本規則。本標準適用于采用接觸式單/雙面光刻、氧化擴散、化學氣相淀積(CVD)、物理氣相淀積(PVD)、離子注入、反應離子刻蝕(RIE)、氫氧化鉀(KOH)腐蝕、硅-玻璃對準靜電結合、砂輪劃片等基本工藝方法。前言
本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準由全國微機電技術標準化技術委員會(SAC/TC336)提出并歸口。本標準起草單位:北京大學、中機生產力促進中心、中國電子科技集團第十三研究所、中國科學院上海微系統與信息技術研究所、西北工業大學。本標準主要起草人:張大成、王瑋、劉偉、楊芳、姜森林、崔波、熊斌、喬大勇。1、檢測行業全覆蓋,滿足不同的檢測;
2、實驗室全覆蓋,就近分配本地化檢測;
3、工程師一對一服務,讓檢測更精準;
4、免費初檢,初檢不收取檢測費用;
5、自助下單 快遞免費上門取樣;
6、周期短,費用低,服務周到;
7、擁有CMA、CNAS、CAL等權威資質;
8、檢測報告權威有效、中國通用;
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