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GB/T 33236-2016 多晶硅痕量元素化學分析輝光放電質譜法

作者：百檢網時間：2022-10-24

標準簡介

本標準規定了采用輝光放電質譜(GD?MS)法測量多晶硅中雜質元素的測試方法。?本標準適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質元素含量的測定，測量范圍是本方法的檢出限至0.1%（質量分數)，檢出限根據所用儀器及測量條件確定。通過合適的標準樣品校正，也可以測量質量分數大于0.1%的雜質元素含量。單晶硅材料中痕量雜質元素也可參照本標準測量。?
英文名稱：Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
標準狀態：現行
中標分類：化工>>化工綜合>>G04基礎標準與通用方法
ICS分類：化工技術>>分析化學>>71.040.40化學分析
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2016-12-13
實施日期：2017-11-01
頁數：16頁

前言

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