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GB/T 33657-2017 納米技術晶圓級納米尺度相變存儲單元電學操作參數測試規范

作者：百檢網時間：2022-10-24

標準簡介

本標準規定了納米尺度相變存儲單元讀寫擦參數的晶圓測試規范，其測試結果可用于表征相變存儲材料或器件的電學可操作性能。本標準適用于以硫系化合物為主要原料，基于半導體晶圓工藝加工制造的電*尺度小于100 nm的相變存儲單元，100 nm～300 nm的相變存儲單元也可參照本標準執行。本標準不適用于包含外圍驅動電路的存儲單元。
英文名稱：Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
標準狀態：現行
中標分類：電子元器件與信息技術>>微電路>>L56半導體集成電路
ICS分類：電子學>>31.200集成電路、微電子學
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2017-05-12
實施日期：2017-12-01
出版日期：2017-05-01
頁數：16頁【彩圖】

前言

半導體集成電路相關標準

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