SJ/T 11586-2016 半導體器件 10keV低能X射線總劑量輻射試驗方法
作者：百檢網 時間：2022-10-28
標準簡介
本標準規定了使用 X 射線輻射儀（光子平均能量約 10keV，*大光子能量不超過100keV）對半導體器件和電路進行電離輻射效應試驗的方法和程序。適用于半導體器件的總劑量電離輻照評估試驗。標準狀態：現行
發布部門：工業和信息化部
發布日期：2016-01-15
實施日期：2016-06-01
出版日期：2016-06-01
頁數：6頁
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