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半導體集成電路電壓比較器檢測

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半導體集成電路電壓比較器檢測

1主題內容與適用范圍

本標準規定了半導體集成電路電壓比較器(以下簡稱器件)電特性測試方法的基本原理。本標準適用于半導體集成電路電壓比較器電特性的測試。

2引用標準

GB 3431.1半導體集成電路文字符號電參數文字符號

3總的要求

3.1若無特殊說明,測試期間,環境或參考點溫度偏離規定值的范圍應符合器件詳細規范的規定。3.2測試期間,應避免外界干擾對測試精度的影響。測試設備引起的測試誤差應符合器件詳細規范的規定。

3.3測試期間,施于被測器件的電源的內阻在信號頻率下應基本為零;電源電壓的偏差應在規定值的士1%以內。施于被測器件的其他電參量的精度應符合器件詳細規范的規定。

3.4在被測器件線性工作區測試時,交流小信號幅度的逐漸減小不應引起參數值的變化。3.5被測器件與測試系統連接或斷開時,不應超過器件的使用*限條件。

3.6若有要求時,應按器件詳細規范規定的順序接通電源。

3.7測試期間,被測器件應連接詳細規范規定的輔助電路和補償網絡。3.8測試期間,被測器件應避免出現自激現象。

3.9若電特性值是由幾步測試的結果經計算而確定時,這些測試的時間間隔應盡可能短。

檢測標準

序號 檢測標準 檢測對象 檢測項目
1 半導體集成電路 電壓比較器測試方法 半導體集成電路電壓比較器 低電平輸出電流I<Sub>OL
2 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理 半導體集成電路電壓比較器 共模抑制比CMRR
3 半導體集成電路 電壓比較器測試方法 半導體集成電路電壓比較器 共模抑制比KCMR
4 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理 半導體集成電路電壓比較器 共模電壓輸入范圍V<Sub>OC
5 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理 半導體集成電路電壓比較器 差模輸入電壓V<Sub>ID
6 半導體集成電路 電壓比較器測試方法 半導體集成電路電壓比較器 開環電壓增益A<Sub>VD
7 半導體集成電路 電壓比較器測試方法 半導體集成電路電壓比較器 最大共模輸入電壓V<Sub>ICM
8 半導體集成電路 電壓比較器測試方法 半導體集成電路電壓比較器 最大差模輸入電壓V<Sub>IDM
9 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理 半導體集成電路電壓比較器 電壓增益A<Sub>vo
10 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理 半導體集成電路電壓比較器 輸入偏置電流I<Sub>IB

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