1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了掃描電子顯微鏡( scanning electron microscope,以下簡(jiǎn)稱掃描電鏡或SEM)的分析方法原理、環(huán)境條件指標(biāo),儀器、樣品、分析測(cè)試、結(jié)果報(bào)告﹑儀器維護(hù)和安全注意事項(xiàng)。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用各類掃描電鏡進(jìn)行的微觀形貌、微區(qū)成分和結(jié)構(gòu)分析等。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 23414——2009微束分析掃描電子顯微術(shù)﹑術(shù)語(yǔ)
GB/T 13298—2015金屬顯微組織檢驗(yàn)方法
GB/T 17359——2012微束分析能諧法定量分析你治GB/T 19501——2013微束分析電子背散射衍射分析方法通則
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
3.1
二次電子secondary electron
樣品中原子的核外電子被入射電子轟擊脫離原子,當(dāng)其能量大于材料表面逸出功時(shí)從樣品表面逸出,這種電子為二次電子。二次電子的能量在6——5o eV之間,產(chǎn)生于從樣品表面到5 nm——10 nm 的深度范圍。
3.2
背散射電子backscattered electron
入射電子與原子核碰撞,并從固體樣品中反射出來(lái)的電子,產(chǎn)生于從樣品表面到100 nm——l um的深度范圍。背散射電子包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子,通常以BSE表示。
序號(hào) | 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) | 檢測(cè)對(duì)象 | 檢測(cè)項(xiàng)目 | |
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1 | 掃描電子顯微鏡分析方法通則 | 晶體硅太陽(yáng)能電池與硅片 | 掃描電鏡形貌分析 | |
2 | 光伏電池電極柵線高寬比的測(cè)量: 激光掃描共聚焦顯微鏡法 SEMI PV66-0715-2015 | 晶體硅太陽(yáng)能電池與硅片 | 電極柵線寬高比 | |
3 | 硅單晶電阻率測(cè)定方法 | 晶體硅太陽(yáng)能電池與硅片 | 硅片方塊電阻及電阻率 | |
4 | 晶體硅太陽(yáng)能電池與硅片 | 硅片方塊電阻及電阻率 | ||
5 | 微束分析 能譜法定量分析 | 晶體硅太陽(yáng)能電池與硅片 | 能譜法半定量分析 |
1、項(xiàng)目招投標(biāo):出具權(quán)威的第三方CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告;
2、上線電商平臺(tái)入駐:質(zhì)檢報(bào)告各大電商平臺(tái)認(rèn)可;
3、用作銷售報(bào)告:出具具有法律效應(yīng)的檢測(cè)報(bào)告,讓消費(fèi)者更放心;
4、論文及科研:提供專業(yè)的個(gè)性化檢測(cè)需求;
5、司法服務(wù):提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù);
6、工業(yè)問(wèn)題診斷:驗(yàn)證工業(yè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)問(wèn)題排查和修正;
1、電話溝通、確認(rèn)需求;
2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià);
3、郵寄樣品、安排檢測(cè);
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋;
5、出具報(bào)告、售后服務(wù);
6、如需加急、優(yōu)先處理;
1、檢測(cè)行業(yè)全覆蓋,滿足不同的檢測(cè);
2、實(shí)驗(yàn)室全覆蓋,就近分配本地化檢測(cè);
3、工程師一對(duì)一服務(wù),讓檢測(cè)更精準(zhǔn)
4、免費(fèi)初檢,初檢不收取檢測(cè)費(fèi)用
5、自助下單 快遞免費(fèi)上門取樣;
6、周期短,費(fèi)用低,服務(wù)周到;
7、擁有CMA、CNAS、CAL等權(quán)威資質(zhì);
8、檢測(cè)報(bào)告權(quán)威有效、中國(guó)通用;