晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
晶體管主要分為兩大類:雙*性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。
序號 | 檢測標準 | 檢測對象 | 檢測項目 | |
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1 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3076 | 晶體管 | 共發射極電流放大倍數 | |
2 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3026 | 晶體管 | 發射極—基極擊穿電壓 | |
3 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3061 | 晶體管 | 發射極—基極間漏電流 | |
4 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3066 | 晶體管 | 基極—發射極間非飽和壓降 | |
5 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3066 | 晶體管 | 基極—發射極飽和壓降 | |
6 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3011 | 晶體管 | 集電極—發射極擊穿電壓 | |
7 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3041 | 晶體管 | 集電極—發射極漏電流 | |
8 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3071 | 晶體管 | 集電極—發射極間飽和壓降 | |
9 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3001 | 晶體管 | 集電極—基極擊穿電壓 | |
10 | 半導體分立器件試驗方法 MIL-STD-750F:2012 3036 | 晶體管 | 集電極—基極反向電流 |
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2、上線電商平臺入駐:質檢報告各大電商平臺認可;
3、用作銷售報告:出具具有法律效應的檢測報告,讓消費者更放心;
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